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NMOS门电路

[2017-05-19 10:55:23] 来源:电工学习网 编辑:电工考试 点击量:
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导读:1. E/EMOS反相器  (1)电路结构  反相器又称“非”门电路,NMOS反相器如图1所示。图中T1为输入器件也称驱动管;T2的栅极与漏极相联,作为T1漏极的负载电阻,故称负载管。由于使用集成电路制造工艺来制作一个 ...
1. E/EMOS反相器
  (1)电路结构
  反相器又称“非”门电路,NMOS反相器如图1所示。图中T1为输入器件也称驱动管;T2的栅极与漏极相联,作为T1漏极的负载电阻,故称负载管。由于使用集成电路制造工艺来制作一个高阻值的电阻比制作一个MOS管难得多,所以负载电阻常用MOS管来代替。MOS管导通后的导通电阻(漏极与源极之间的电阻)与其跨导gm有关。跨导大的则其导通电阻小。驱动管T1的跨导较大,一般为100~200μA/V;而负载管T2的跨导较小,一般为5~10μA/V。因此,T2的导通电阻比T1要大许多。  

  (2)工作原理
  当输入端A为1时,T1的栅源电压VGS大于它的开启电压,T1导通。由于T2的栅极与漏极相联并接到正电源VDD上,其栅源电压也一定大于开启电压,T2总是处于导通状态。又因为T1的导通电阻远比T2的小,其管压降很小,故输出端Y为0。
当输入端A为0时,T1的栅源电压低于它的开启电压,T1截止,而T2总是处于导通状态,故输出端Y为1。
  2.NMOS“与非”门电路
  (1)电路结构
  NMOS“与非”门电路如图2所示,其中,T3为负载管,T1和T2相串联,为驱动管。

     图1 NMOS“与非”门电路        图2 NMOS“或非”门电路

  (2)工作原理
  当AB两个输入端全为1时,T1与T2两管导通,它们的导通电阻都比负载管的低得多,因此这两个驱动管的管压降都很小,输出端Y为0。
  当输入端有一个或全为0时,则串联的驱动管截止,输出端Y为1,这时与高电平输入端相联的管子形成导电沟道。
  3.NMOS“或非”门电路
  图2 是NMOS“或非”门电路,T1和T2两个驱动管并联,然后再与负载管T3串联。
  当AB两个输入端全为1或其中一个为1时,则相应的驱动管导通,输出端Y为0。只有当输入端AB全为0时,T1和T2都截止,输出端Y才为1。这种“或非”逻辑关系可用下式表示:         

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