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半导体三极管的参数

[2018-06-11 14:36:58] 来源:电工学习网 编辑:电工考试 点击量:
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导读:半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1.共发射极直流电流放大系数 =(IC-ICEO)/IB ≈ IC / IB|vCE=const 在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上,通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC/IB ...

    半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。
    1.共发射极直流电流放大系数
           =(ICICEO)/IB IC / IB|vCEconst

    在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上,通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC/IB ,如图1所示。在IC较小时和IC较大时,会有所减小,这一关系见图2。

        图 1 在输出特性曲线上决定 图2 值与IC的关系


    2.集电极-基极间反向饱和电流ICBO
    ICBO的下标CB代表集电极和基极,O 是Open的字头,代表第三个电极 E 开路。它相当于集电结的反向饱和电流。
    2.集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO
    ICEOICBO有如下关系
             ICEO=(1+ICBO
    相当基极开路时,集电极和发射极间的反向饱和电流,即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值,如图3所示。

图3 ICEO在输出特性曲线上的位置


    3.共发射极交流电流放大系数β
                    DIC/DIB½
    在放大区,b 值基本不变,可在共射接法输出特性曲线上,通过垂直于 X 轴的直线求取DIC/DIB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b 。具体方法如图4所示。

图4 在输出特性曲线上求取β

    4、 集电极最大允许电流ICM
    如图2所示,当集电极电流增加时,b 就要下降,当值下降到线性放大区值的70~30%时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于值下降多少,不同型号的三极管,不同的厂家的规定有所差别。可见,当ICICM时,并不表示三极管会损坏。
  5、 集电极最大允许功率损耗PCM
    集电极电流通过集电结时所产生的功耗,PCMICVCBICVCE,因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB
  6、 反向击穿电压
    反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力,其测试时的原理电路如图5所示。

图5 三极管击穿电压的测试电路
        1. V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR 代表击穿之意,是Breakdown的字头,C、B代表集电极和基极,O 代表第三个电极 E 开路。
    2. V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
    3. V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
    对于V(BR)CER表示 BE 间接有电阻,V(BR)CES表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系:
                    V(BR)CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR)EBO
    由最大集电极功率损耗 PCMICM 和击穿电压V(BR)CEO,在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区,见图6。
图6 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区

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